- 专利标题: 具有超大垂直矫顽力铁磁单晶薄膜的制备方法
- 专利标题(英): Method for preparing ferromagnetic single-crystal film with ultra-large vertical coercivity
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申请号: CN201210033517.1申请日: 2012-02-15
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公开(公告)号: CN102568815B公开(公告)日: 2013-12-18
- 发明人: 赵建华 , 朱礼军
- 申请人: 中国科学院半导体研究所
- 申请人地址: 北京市海淀区清华东路甲35号
- 专利权人: 中国科学院半导体研究所
- 当前专利权人: 中国科学院半导体研究所
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区清华东路甲35号
- 代理机构: 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理商 汤保平
- 主分类号: H01F41/14
- IPC分类号: H01F41/14
摘要:
一种具有超大垂直矫顽力铁磁单晶薄膜的制备方法,包括如下步骤:步骤1:将衬底放入分子束外延设备样品架;步骤2:将衬底升至一预定温度,保持该温度一预定时间;步骤3:将衬底的温度降低至一预定温度,再利用分子束外延技术在衬底上生长缓冲层;步骤4:将衬底的降温至一预定温度,利用分子束外延技术在缓冲层上生长铁磁薄膜层。通过以上方法制备的具有超大垂直矫顽力铁磁单晶薄膜,其具有超大矫顽力、超高垂直磁各向异性和超高磁能积,同时具有工艺简单、易于集成、且不含贵金属又不含稀土元素等优点。
公开/授权文献
- CN102568815A 具有超大垂直矫顽力铁磁单晶薄膜的制备方法 公开/授权日:2012-07-11