- 专利标题: 多元掺杂热丝化学气相沉积制备金刚石薄膜的方法
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申请号: CN201210085095.2申请日: 2012-03-27
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公开(公告)号: CN102586762B公开(公告)日: 2015-08-19
- 发明人: 孙方宏 , 张文骅 , 张志明 , 郭松寿 , 沈荷生
- 申请人: 上海交通大学 , 上海交友钻石涂层有限公司
- 申请人地址: 上海市闵行区东川路800号
- 专利权人: 上海交通大学,上海交友钻石涂层有限公司
- 当前专利权人: 上海交通大学,上海交友钻石涂层有限公司
- 当前专利权人地址: 上海市闵行区东川路800号
- 代理机构: 上海汉声知识产权代理有限公司
- 代理商 郭国中
- 主分类号: C23C16/455
- IPC分类号: C23C16/455 ; C23C16/46 ; C23C16/30
摘要:
本发明公开了一种多元掺杂热丝化学气相沉积制备金刚石薄膜的方法及用于其中的反应气体输送装置。所述方法以硅、碳化硅或氮化硅陶瓷、硬质合金、以及高熔点金属材料(钨、钽、钼、钛等)为衬底,以CVD法为沉积手段,在反应气体氢气和丙酮(或丙酮和甲醇)蒸汽中同时添加含Si、含Si和含N、含Si和含B或含Si、含N和含B的有机化合物,形成多元掺杂体系;反应得到了亚微米或纳米级金刚石薄膜涂层,涂层厚度可在10~50μm之间调节。该薄膜具有耐磨、耐腐蚀、绝缘电阻高(不掺硼场合)、表面光滑、摩擦系数小、易研磨抛光等特点,即兼有微米金刚石和纳米金刚石涂层的双重优点。
公开/授权文献
- CN102586762A 多元掺杂热丝化学气相沉积制备金刚石薄膜的方法 公开/授权日:2012-07-18
IPC分类: