Invention Grant
CN102592701B 一种采用原位合成制备AgTiB2触头材料的方法
失效 - 权利终止
- Patent Title: 一种采用原位合成制备AgTiB2触头材料的方法
- Patent Title (English): Method for preparing AgTiB2 contact material by using in-situ synthesis
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Application No.: CN201210036770.2Application Date: 2012-02-17
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Publication No.: CN102592701BPublication Date: 2013-10-23
- Inventor: 王献辉 , 张天明 , 邹军涛 , 梁淑华 , 刘马宝 , 刘启达
- Applicant: 西安理工大学
- Applicant Address: 陕西省西安市金花南路5号
- Assignee: 西安理工大学
- Current Assignee: 西安理工大学
- Current Assignee Address: 陕西省西安市金花南路5号
- Agency: 西安弘理专利事务所
- Agent 李娜
- Main IPC: H01B1/02
- IPC: H01B1/02 ; H01B13/00 ; C22C1/02 ; H01H11/04
Abstract:
本发明公开了一种采用原位合成制备AgTiB2触头材料的方法，该方法以高纯Ag粉、Ti粉和B粉为原料，经过混粉后在压力机下进行压制；最后对压坯进行电弧熔炼，即得到原位生成的AgTiB2触头材料。与现有AgTiB2触头材料的制备技术相比，本发明的制备方法简便，获得的AgTiB2触头材料组织致密，原位生成的TiB2与Ag基体结合好，界面干净，AgTiB2触头材料的综合性显著能高。
Public/Granted literature
- CN102592701A 一种采用原位合成制备AgTiB2触头材料的方法 Public/Granted day:2012-07-18
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