- 专利标题: 发光二极管晶粒及其制造方法、发光二极管封装结构
- 专利标题(英): LED crystal grain and manufacturing method thereof as well as LED packaging structure
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申请号: CN201110003533.1申请日: 2011-01-10
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公开(公告)号: CN102593287B公开(公告)日: 2015-07-08
- 发明人: 黄世晟 , 凃博闵 , 林雅雯
- 申请人: 展晶科技(深圳)有限公司 , 荣创能源科技股份有限公司
- 申请人地址: 广东省深圳市宝安区龙华街道办油松第十工业区东环二路二号
- 专利权人: 展晶科技(深圳)有限公司,荣创能源科技股份有限公司
- 当前专利权人: 展晶科技(深圳)有限公司,荣创能源科技股份有限公司
- 当前专利权人地址: 广东省深圳市宝安区龙华街道办油松第十工业区东环二路二号
- 代理机构: 深圳市鼎言知识产权代理有限公司
- 代理商 叶小勤
- 主分类号: H01L33/02
- IPC分类号: H01L33/02 ; H01L33/42 ; H01L33/48 ; H01L33/62 ; H01L33/00
摘要:
一种发光二极管晶粒,包括基板、半导体发光结构、绝缘层及透明导电层,基板包括相互绝缘的第一导电区与第二导电区,半导体发光结构为垂直电导通结构,半导体发光结构包括金属层及N型三族氮化物半导体层,金属层及N型三族氮化物半导体层分别位于半导体发光结构的两端,半导体发光结构的金属层固定于基板的第二导电区上,透明导电层连接基板的第一导电区与N型三族氮化物半导体层,绝缘层使得透明导电层与基板的第二导电区及半导体发光结构的除N型三族氮化物半导体层以外的其他部分绝缘。上述发光二极管晶粒的出光一侧不必设置遮光的厚金属电极及焊球,从而提高发光二极管晶粒的出光效率。本发明还公开一种发光二极管晶粒制造方法及发光二极管封装结构。
公开/授权文献
- CN102593287A 发光二极管晶粒及其制造方法、发光二极管封装结构 公开/授权日:2012-07-18
IPC分类: