发明授权
- 专利标题: 二次电子装置及使用其的离子注入机
- 专利标题(英): Secondary electron device and ion implanter machine using the same
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申请号: CN201110037107.X申请日: 2011-01-27
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公开(公告)号: CN102623288B公开(公告)日: 2014-11-19
- 发明人: 阳厚国 , 薛文卿
- 申请人: 无锡华润上华科技有限公司
- 申请人地址: 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号
- 专利权人: 无锡华润上华科技有限公司
- 当前专利权人: 无锡华润上华科技有限公司
- 当前专利权人地址: 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号
- 代理机构: 中国专利代理(香港)有限公司
- 代理商 李湘; 高为
- 主分类号: H01J37/317
- IPC分类号: H01J37/317
摘要:
本发明提供了一种二次电子装置,所述二次电子装置被用于中和离子注入过程中离子束所携带的正电荷。所述二次电子装置包括二次电子发射器、悬空挡板以及电压源,其中所述电子发射器和所述悬空挡板被布置使得所述离子束从所述电子发射器与所述悬空挡板之间通过到达接受离子注入的晶片,所述悬空挡板与离子束系统保持绝缘,并且其中所述电压源的负极连接至所述二次电子发射器,而所述电压源的正极连接至所述悬空挡板。使用本发明所提供的二次电子装置使二次电子更充分地穿越离子束,从而在离子注入过程中取得更好的中和效果,使得离子被更好地注入晶片。
公开/授权文献
- CN102623288A 二次电子装置及使用其的离子注入机 公开/授权日:2012-08-01