发明授权
CN102623440B 半导体装置、制造半导体装置的方法和电子装置
失效 - 权利终止
- 专利标题： 半导体装置、制造半导体装置的方法和电子装置
- 专利标题（英）： Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and electronic device
-
申请号： CN201110460504.8申请日： 2011-12-31
-
公开(公告)号： CN102623440B公开(公告)日： 2015-05-20
- 发明人: 赤松俊也
- 申请人： 富士通株式会社
- 申请人地址： 日本神奈川县
- 专利权人： 富士通株式会社
- 当前专利权人： 富士通株式会社
- 当前专利权人地址： 日本神奈川县
- 代理机构： 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理商 杜诚; 李春晖
- 优先权： 2011-017405 2011.01.31 JP
- 主分类号： H01L25/00
- IPC分类号： H01L25/00 ; H01L25/065 ; H01L23/48 ; H01L23/498 ; H01L21/60 ; H01L21/50
摘要：
公开了一种半导体装置、制造半导体装置的方法和电子装置。该半导体装置包括半导体元件和电子元件。半导体元件具有第一突出电极，并且电子元件具有第二突出电极。基底被布置在半导体元件与电子元件之间。基底具有通孔，第一和第二突出电极配合在通孔中。第一和第二突出电极在基底的通孔内连接到一起。基底具有绝缘膜，绝缘膜覆盖第一通孔的侧壁并且暴露在第一通孔内，并且第一突出电极的直径和第二突出电极的直径小于第一通孔的直径。
公开/授权文献
- CN102623440A 半导体装置、制造半导体装置的方法和电子装置 公开/授权日：2012-08-01
IPC分类:
