发明授权
- 专利标题: 光半导体装置
- 专利标题(英): Optical semiconductor device
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申请号: CN201210017208.5申请日: 2012-01-19
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公开(公告)号: CN102623544B公开(公告)日: 2015-05-20
- 发明人: 土居芳行 , 村本好史 , 大山贵晴
- 申请人: NTT电子股份有限公司 , 日本电信电话株式会社
- 申请人地址: 日本神奈川
- 专利权人: NTT电子股份有限公司,日本电信电话株式会社
- 当前专利权人: NTT电子股份有限公司,日本电信电话株式会社
- 当前专利权人地址: 日本神奈川
- 代理机构: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- 代理商 高科
- 优先权: 2011-015580 2011.01.27 JP
- 主分类号: H01L31/10
- IPC分类号: H01L31/10 ; H01L31/0224
摘要:
本发明提供一种光半导体装置,该光半导体装置充分降低了光接收元件间的串扰(漏电流)、小型且简单。如果使用根据本发明的光半导体装置,则由于背面电极是镜面状的薄膜,所以可以容易地抑制对相邻的光接收元件的串扰,减少光半导体装置的光强度检测时的误差。另外,通过在整个背面上在构图了的背面电极或绝缘膜的底面上设置欧姆电极,可以减小背面上的接触电阻。另外,通过使用二维地配置的光半导体元件和使背面电极为镜面状的薄膜,可以改善串扰。另外,通过在具有高气密性的状态下被收存于框体,保护光半导体元件免受外部环境影响,耐湿性优良,能够确保高可靠性。
公开/授权文献
- CN102623544A 光半导体装置 公开/授权日:2012-08-01