发明授权
CN102623564B 一种具有激光开槽正面电极的晶体硅太阳电池的制作方法
失效 - 权利终止
- 专利标题： 一种具有激光开槽正面电极的晶体硅太阳电池的制作方法
- 专利标题（英）： Method for producing crystalline silicon solar cell with laser grooved positive electrode
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申请号： CN201210091683.7申请日： 2012-03-30
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公开(公告)号： CN102623564B公开(公告)日： 2015-01-07
- 发明人: 班群 , 沈辉 , 梁宗存
- 申请人： 中山大学
- 申请人地址： 广东省广州市海珠区新港西路135号
- 专利权人： 中山大学
- 当前专利权人： 中山大学
- 当前专利权人地址： 广东省广州市海珠区新港西路135号
- 代理机构： 广州知友专利商标代理有限公司
- 代理商 李海波
- 主分类号： H01L31/18
- IPC分类号： H01L31/18 ; H01L31/0224
摘要：
本发明公开了一种具有激光开槽正面电极的晶体硅太阳电池的制作方法，包括镀氮化硅减反射膜工序，还含有以下工序：采用激光对晶体硅片正面的氮化硅减反射层和发射区进行激光开槽，再经后续含印刷正面银电极、背面银电极和背电场工序，烧结后获得具有激光开槽正面电极的晶体硅太阳电池。该方法能够克服银浆与氮化硅需要发生反应才能穿透SiNx层的缺陷，通过简化银浆制备工艺，简化银浆的配方，并降低银浆使用量从而减少制备太阳电池的成本。
公开/授权文献
- CN102623564A 一种具有激光开槽正面电极的晶体硅太阳电池的制作方法 公开/授权日：2012-08-01
IPC分类:
