发明授权
- 专利标题： 半导体器件及其制造方法
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申请号： CN201210032437.4申请日： 2012-02-14
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公开(公告)号： CN102637794B公开(公告)日： 2016-12-14
- 发明人: 李商文 , 尹义埈 , 朴珍燮 , 朴成铉
- 申请人： 三星电子株式会社 , 首尔大学校产学协力团
- 申请人地址： 韩国京畿道
- 专利权人： 三星电子株式会社,首尔大学校产学协力团
- 当前专利权人： 三星电子株式会社,首尔大学校产学协力团
- 当前专利权人地址： 韩国京畿道
- 代理机构： 北京市柳沈律师事务所
- 代理商 张波
- 优先权： 10-2011-0012863 2011.02.14 KR
- 主分类号： H01L33/04
- IPC分类号： H01L33/04 ; H01L33/20 ; H01L33/12 ; H01L33/00
摘要：
本发明公开了半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：第一非平坦、非极性氮化物半导体层，具有三维(3D)表面形式并由非极性氮化物半导体形成；第一结构层，形成在所述第一非平坦、非极性氮化物半导体层的表面的至少一部分上并包括多个固体颗粒；及第一非极性氮化物半导体层，形成在所述第一非平坦、非极性氮化物半导体层和所述第一结构层上。
公开/授权文献
- CN102637794A 半导体器件及其制造方法 公开/授权日：2012-08-15
IPC分类:
