• 专利标题: 一种同时制备多级结构介孔二氧化硅和碳纳米材料的方法
  • 专利标题(英): Method for simultaneously preparing multilevel-structure mesoporous silicon dioxide and carbon nano material
  • 申请号: CN201210145019.6
    申请日: 2012-05-10
  • 公开(公告)号: CN102642843B
    公开(公告)日: 2014-07-16
  • 发明人: 曹传宝张兴华
  • 申请人: 北京理工大学
  • 申请人地址: 北京市海淀区中关村南大街5号
  • 专利权人: 北京理工大学
  • 当前专利权人: 北京理工大学
  • 当前专利权人地址: 北京市海淀区中关村南大街5号
  • 主分类号: C01B33/18
  • IPC分类号: C01B33/18 C01B31/02 B82Y30/00 B82Y40/00
一种同时制备多级结构介孔二氧化硅和碳纳米材料的方法
摘要:
本发明涉及一种同时制备多级结构介孔二氧化硅和碳纳米材料的方法。属于介孔纳米材料制备领域。步骤如下:将水和醇类混合配制成反应溶剂;向反应溶剂中加入催化剂碱、反应试剂间苯二酚以及表面活性剂CTAB;在搅拌后,加入反应试剂甲醛溶液和TEOS,得到混合溶液;将混合溶液在室温下继续搅拌,去除上层清液得到沉淀物,干燥后得到固体粉末;将固体粉末在惰性气体保护下高温煅烧使其碳化,得到黑色固体粉末;将黑色固体粉末用氟化氢水溶液或强碱溶液浸泡,去除二氧化硅,得到多级结构介孔碳材料;将固体粉末或黑色固体粉末在空气中高温煅烧即得到多级结构介孔二氧化硅材料。本发明的方法,操作简单,成本较低,可实现大规模生产。
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