- 专利标题: 太阳能电池中使用的Cu-In-Zn-Sn-(Se,S)基薄膜及其制造方法
- 专利标题(英): Cu-In-Zn-Sn-(Se,S)-based thin film for solar cell and preparation method thereof
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申请号: CN201080056028.7申请日: 2010-11-08
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公开(公告)号: CN102652368B公开(公告)日: 2014-12-17
- 发明人: 尹载浩 , 尹庆勋 , 安世镇 , 郭智惠 , 申基植 , 金圭镐 , 金镇赫
- 申请人: 韩国能源技术研究院
- 申请人地址: 韩国大田市儒城区柯亭路102
- 专利权人: 韩国能源技术研究院
- 当前专利权人: 韩国能源技术研究院
- 当前专利权人地址: 韩国大田市儒城区柯亭路102
- 代理机构: 上海申新律师事务所
- 代理商 竺路玲
- 优先权: 10-2009-0125004 2009.12.15 KR
- 国际申请: PCT/KR2010/007836 2010.11.08
- 国际公布: WO2011/074784 EN 2011.06.23
- 进入国家日期: 2012-06-11
- 主分类号: H01L31/052
- IPC分类号: H01L31/052
摘要:
本发明涉及太阳能电池中使用的Cu-In-Zn-Sn-(Se,S)基薄膜及其制造方法,更确切地说,涉及应用在太阳能电池中,具有低制造成本、高转换效率的Cu-In-Zn-Sn-(Se,S)基薄膜及其制造方法。
公开/授权文献
- CN102652368A 太阳能电池中使用的Cu-In-Zn-Sn-(Se,S)基薄膜及其制造方法 公开/授权日:2012-08-29