Invention Grant
CN102653389B 贯通孔形成方法、喷嘴板以及MEMS器件
失效 - 权利终止
- Patent Title: 贯通孔形成方法、喷嘴板以及MEMS器件
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Application No.: CN201210050323.2Application Date: 2012-02-29
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Publication No.: CN102653389BPublication Date: 2017-08-15
- Inventor: 白木美穗 , 竹内淳一
- Applicant: 精工爱普生株式会社
- Applicant Address: 日本东京都
- Assignee: 精工爱普生株式会社
- Current Assignee: 精工爱普生株式会社
- Current Assignee Address: 日本东京都
- Agency: 北京集佳知识产权代理有限公司
- Agent 李洋; 王轶
- Priority: 2011-044778 20110302 JP
- Main IPC: B81C1/00
- IPC: B81C1/00 ; B05B1/14
Abstract:
本发明提供一种贯通孔形成方法、喷嘴板以及MEMS器件。在该贯通孔形成方法中，具备对于具有第一基板面、以及作为所述第一基板面的背面的第二基板面的基板，在所述第一基板面上形成多个小孔的工序；对所述小孔与相邻的其它所述小孔之间的隔壁、以及所述小孔的底部进行热氧化而形成热氧化膜的工序；以及将所述热氧化膜除去的工序。
Public/Granted literature
- CN102653389A 贯通孔形成方法、喷嘴板以及MEMS器件 Public/Granted day:2012-09-05
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