发明授权
CN102655112B 实现锗基MOS器件有源区之间隔离的方法
失效 - 权利终止
- 专利标题： 实现锗基MOS器件有源区之间隔离的方法
- 专利标题（英）： Method for realizing isolation among active regions of germanium-based MOS (Metal Oxide Semiconductor) device
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申请号： CN201210115455.9申请日： 2012-04-18
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公开(公告)号： CN102655112B公开(公告)日： 2014-08-06
- 发明人: 黎明 , 李敏 , 黄如 , 安霞 , 张兴
- 申请人： 北京大学
- 申请人地址： 北京市海淀区颐和园路5号
- 专利权人： 北京大学
- 当前专利权人： 北京大学
- 当前专利权人地址： 北京市海淀区颐和园路5号
- 代理机构： 北京君尚知识产权代理事务所
- 代理商 李稚婷
- 主分类号： H01L21/762
- IPC分类号： H01L21/762
摘要：
本发明公开了一种实现锗基MOS器件有源区之间隔离的方法，在锗基衬底表面上覆盖一薄层多晶硅或多晶锗硅，然后在有源区被保护的情况下，通过两步氧化形成表面覆盖二氧化硅层或氧化锗硅层的二氧化锗隔离结构，这种以多晶硅多晶锗硅作为牺牲层的两步氧化工艺有利于提高所制备的二氧化锗隔离的质量，减小局部场氧氧化产生的鸟嘴效应，从而显著提高锗器件的性能。
公开/授权文献
- CN102655112A 实现锗基MOS器件有源区之间隔离的方法 公开/授权日：2012-09-05
IPC分类:
