在本气相生长方法中，通过使V族原料气体导入配管（42）的内径（W1）大于III族原料气体导入配管（44）的外径（W2），将III族原料气体导入配管（44）以1对1的方式插入到V族原料气体导入配管（42）的内部，从而可防止III族原料气体配管（44）被冷却机构冷却，抑制金属材料凝固到配管壁面。由此，可提供一种将易凝固的金属材料有效地导入反应炉而不会使其附着于喷淋头或配管的壁面、从而能进行有效掺杂的气相生长装置、气相生长方法及半导体元件的制造方法。