一种并四噻吩衍生物及其制备方法与应用
摘要:
本发明公开了一种并四噻吩衍生物及其制备方法与应用。并四噻吩衍生物,结构如式(I)所示,其中,R为氢、烷基或芳基。本发明还提供了式(I)化合物的制备方法。本发明的合成路线简单、有效;原料为商业化的廉价产品,合成成本低;合成方法具有普适性,可以推广应用到其他各种取代基取代的并四噻吩衍生物的合成。以本发明合成的[1]苯并噻吩并[3”.2”:4’,5’]噻吩并[2’.3’:4,5]噻吩并[2,3-b][1]苯并噻吩为有机半导体层制备的OFET的迁移率和开关比都比较高,迁移率最高为0.05cm2V-1s-1,开关比大于106,它们在OFET器件中有良好的应用前景。式I
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