发明授权
- 专利标题： 具有纳米结构沟道的场效应晶体管
- 专利标题（英）： Field effect transistor having nanostructure channel
-
申请号： CN201080053617.X申请日： 2010-11-04
-
公开(公告)号： CN102668150B公开(公告)日： 2015-05-20
- 发明人: J·常 , M·奎洛恩 , E·A·约瑟夫
- 申请人： 国际商业机器公司
- 申请人地址： 美国纽约阿芒克
- 专利权人： 国际商业机器公司
- 当前专利权人： 格芯公司
- 当前专利权人地址： 美国纽约阿芒克
- 代理机构： 北京市金杜律师事务所
- 代理商 吴立明; 董典红
- 优先权： 12/627,057 2009.11.30 US
- 国际申请： PCT/EP2010/066817 2010.11.04
- 国际公布： WO2011/064074 EN 2011.06.03
- 进入国家日期： 2012-05-25
- 主分类号： H01L51/00
- IPC分类号： H01L51/00 ; H01L51/05
摘要：
一种场效应晶体管(FET)，其包含：由第一材料形成的漏极；由所述第一材料形成的源极；由纳米结构形成的沟道，所述沟道将所述源极耦合到所述漏极；以及形成于所述源极与所述漏极之间并且包围所述纳米结构的栅极。
公开/授权文献
- CN102668150A 具有纳米结构沟道的场效应晶体管 公开/授权日：2012-09-12
IPC分类:
