Invention Grant
CN102680536B 一种基于可控硅电源的真空自耗电弧炉熔滴测试方法
失效 - 权利终止
- Patent Title: 一种基于可控硅电源的真空自耗电弧炉熔滴测试方法
- Patent Title (English): Vacuum self-electricity-consumption arc furnace molten drop test method based on a silicon-controlled power supply
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Application No.: CN201210190693.6Application Date: 2012-06-11
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Publication No.: CN102680536BPublication Date: 2013-10-09
- Inventor: 胡水仙 , 吕国云 , 樊养余 , 王毅
- Applicant: 西北工业大学
- Applicant Address: 陕西省西安市友谊西路127号
- Assignee: 西北工业大学
- Current Assignee: 西北工业大学
- Current Assignee Address: 陕西省西安市友谊西路127号
- Agency: 西北工业大学专利中心
- Agent 王鲜凯
- Main IPC: G01N27/04
- IPC: G01N27/04 ; G01R29/00 ; G01R29/02
Abstract:
本发明涉及一种基于可控硅电源的真空自耗电弧炉熔滴测试方法,其特征在于:采用可控硅电源作为真空自耗电弧炉的供电电源,测试步骤如下:将真空自耗电弧炉的炉压信号进行变压处理,然后由DSP处理器进行频率不低于50KHz的采样,得到采样数据;对采样转换数据进行多阶陷波处理,将陷波处理数据逐个与设定的阈值进行比较,得到熔滴短路脉冲中所包含的连续的小于阈值的采样变换值个数除以采样率得到该熔滴短路脉冲的持续时间,并通过串口输出到控制设备PLC上。有益效果是,及时敏锐地检测到弧长的变化,为后续的熔滴控制提供了精准的测试数据,保证了高温合金熔炼的致密性。
Public/Granted literature
- CN102680536A 一种基于可控硅电源的真空自耗电弧炉熔滴测试方法 Public/Granted day:2012-09-19
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