发明授权
- 专利标题: 凹陷半导体衬底
- 专利标题(英): Recessed semiconductor substrates
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申请号: CN201180005381.7申请日: 2011-01-25
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公开(公告)号: CN102687255B公开(公告)日: 2015-03-04
- 发明人: 吴亚伯 , 陈若文 , 韩忠群 , 刘宪明 , 卫健群 , 常润滋 , 吴嘉洛 , 郑全成
- 申请人: 马维尔国际贸易有限公司
- 申请人地址: 巴巴多斯圣米加勒
- 专利权人: 马维尔国际贸易有限公司
- 当前专利权人: 马维尔亚洲私人有限公司
- 当前专利权人地址: 巴巴多斯圣米加勒
- 代理机构: 北京市金杜律师事务所
- 代理商 酆迅; 边海梅
- 优先权: 61/301,125 2010.02.03 US; 61/316,282 2010.03.22 US; 61/321,068 2010.04.05 US; 61/325,189 2010.04.16 US; 13/012,644 2011.01.24 US
- 国际申请: PCT/US2011/022370 2011.01.25
- 国际公布: WO2011/097089 EN 2011.08.11
- 进入国家日期: 2012-07-03
- 主分类号: H01L21/48
- IPC分类号: H01L21/48 ; H01L23/13 ; H01L23/14 ; H01L23/498
摘要:
本公开内容的实施例提供一种装置,该装置包括:半导体衬底,具有第一表面,与第一表面相对设置的第二表面,其中第一表面的至少部分被凹陷以形成半导体衬底的凹陷区域,以及一个或者多个过孔,形成于半导体衬底的凹陷区域中以在半导体衬底的第一表面与第二表面之间提供电或者热通路;以及裸片,耦合到半导体衬底,该裸片电耦合到在半导体衬底的凹陷区域中形成的一个或者多个过孔。可以描述和/或要求保护其它实施例。
公开/授权文献
- CN102687255A 凹陷半导体衬底 公开/授权日:2012-09-19
IPC分类: