发明授权
- 专利标题: 半导体装置
- 专利标题(英): Semiconductor device
-
申请号: CN201080058540.5申请日: 2010-12-14
-
公开(公告)号: CN102687264B公开(公告)日: 2014-08-06
- 发明人: 田丸雅规 , 中西和幸 , 西村英敏
- 申请人: 松下电器产业株式会社
- 申请人地址: 日本大阪府
- 专利权人: 松下电器产业株式会社
- 当前专利权人: 株式会社索思未来
- 当前专利权人地址: 日本大阪府
- 代理机构: 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理商 汪惠民
- 优先权: 2009-294231 2009.12.25 JP
- 国际申请: PCT/JP2010/007255 2010.12.14
- 国际公布: WO2011/077664 JA 2011.06.30
- 进入国家日期: 2012-06-21
- 主分类号: H01L21/82
- IPC分类号: H01L21/82 ; H01L21/3205 ; H01L21/822 ; H01L21/8238 ; H01L23/52 ; H01L27/04 ; H01L27/092
摘要:
本发明提供一种半导体装置,在单元列(A1)的N型阱区域(NW)中设置阱电位供给区域(14n)。以同一间距配置在阱电位供给区域(14n)的横向两侧配置的相邻栅极(15a、15b)、进一步在两侧配置的相邻栅极(15c、15d)。此外,相邻单元列(A2)具有在纵向上分别与相邻栅极(15a~15d)对置的4根栅极(15e~15h)。即,阱电位供给区域(14n)周边的栅极图案维持形状规则性。
公开/授权文献
- CN102687264A 半导体装置 公开/授权日:2012-09-19
IPC分类: