半导体装置
摘要:
本发明提供一种半导体装置,在单元列(A1)的N型阱区域(NW)中设置阱电位供给区域(14n)。以同一间距配置在阱电位供给区域(14n)的横向两侧配置的相邻栅极(15a、15b)、进一步在两侧配置的相邻栅极(15c、15d)。此外,相邻单元列(A2)具有在纵向上分别与相邻栅极(15a~15d)对置的4根栅极(15e~15h)。即,阱电位供给区域(14n)周边的栅极图案维持形状规则性。
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