本发明涉及图像传感器，并且更具体地，涉及意在以低发光水平采集图像的那些传感器。每个像素在半导体有源层(12)的表面处包括：光电二极管区域(PHD)；电荷存储节点(18)；以及用于对于光在所述光电二极管中生成的电荷，在电荷累积时间之后将电荷从所述光电二极管转移至所述存储节点的转移结构。所述转移结构包括：与所述光电二极管相邻的第一转移栅极(TR1)；与所述存储节点相邻的第二转移栅极(TR2)；以及位于所述第一转移栅极和所述第二转移栅极之间的电子倍增放大结构(AMP)。所述放大结构包括两个分开的加速栅极(GA和GB)和位于两个加速栅极之间并处于固定表面电位的中间二极管区域(DI)。在电荷转移至存储节点之前，在转移结构中的渡越中，一连串交替的高和低电位施加至加速栅极。放大取决于交替的数量。