发明授权
- 专利标题: 硅片处理过程中产生的废硅料的清洗方法
- 专利标题(英): Method for cleaning waste silicon material generated in silicon wafer treatment process
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申请号: CN201210189738.8申请日: 2012-06-08
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公开(公告)号: CN102694074B公开(公告)日: 2015-07-01
- 发明人: 冯文宏 , 刘俊飞
- 申请人: 英利能源(中国)有限公司
- 申请人地址: 河北省保定市朝阳北大街3399号
- 专利权人: 英利能源(中国)有限公司
- 当前专利权人: 保定晶创硅材料制造有限公司
- 当前专利权人地址: 河北省保定市朝阳北大街3399号
- 代理机构: 北京康信知识产权代理有限责任公司
- 代理商 吴贵明; 余刚
- 主分类号: H01L31/18
- IPC分类号: H01L31/18
摘要:
本发明公开了一种硅片处理过程中产生的废硅料的清洗方法。该方法包括以下步骤:1)将待清洗的废硅料放入混合酸液中浸泡,然后用纯水漂洗;2)将经过混合酸液浸泡的废硅料放入碱液中浸泡,然后用纯水漂洗;3)将废硅料放入盐酸溶液中浸泡,然后用纯水漂洗、烘干,其中,混合酸液是电池制备过程产生的废弃酸液。应用本发明的技术方案,既能有效地彻底清除废硅料表面及嵌入较深的杂质,又不会造成硅料损失,由于大多的杂质是通过酸蚀或碱蚀去除的,不需要人工打磨,所以工作效率提高。另外,混合酸液是电池制备过程中废弃的酸液,不仅节约了成本,还为废水处理、减排降耗做出了贡献。
公开/授权文献
- CN102694074A 硅片处理过程中产生的废硅料的清洗方法 公开/授权日:2012-09-26
IPC分类: