Invention Grant
- Patent Title: 一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池的制备方法
- Patent Title (English): Preparation method of CIGS (copper indium gallium diselenide) thin-film solar cell
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Application No.: CN201210192751.9Application Date: 2012-06-11
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Publication No.: CN102694077BPublication Date: 2014-08-06
- Inventor: 林刘毓 , 张准
- Applicant: 林刘毓 , 张准
- Applicant Address: 中国台湾新北市永和区福和路7巷4号4楼
- Assignee: 林刘毓,张准
- Current Assignee: 林刘毓,张准
- Current Assignee Address: 中国台湾新北市永和区福和路7巷4号4楼
- Agency: 北京天达知识产权代理事务所
- Agent 王庆海
- Main IPC: H01L31/18
- IPC: H01L31/18
Abstract:
本发明涉及一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池的制备方法，其包括：a）在衬底上制备钼背电极；b）在该钼背电极上制备铜铟镓硒吸收层；c）进行退火处理；d）在铜铟镓硒吸收层上制备In2Se3或ZnS缓冲层；e）在所述In2Se3或ZnS缓冲层上制备本征氧化锌高阻抗层；f）在所述本征氧化锌高阻抗层上制备氧化铟锡薄膜低阻抗层；g）在氧化铟锡薄膜低阻抗层上制备铝电极。
Public/Granted literature
- CN102694077A 一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池的制备方法 Public/Granted day:2012-09-26
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