发明公开
- 专利标题: 一种用于太阳能电池缓冲层CdS薄膜的电子束制备法
- 专利标题(英): Electron beam preparation method for CdS (Cadmium Dating Sulphide) thin film for buffer layer of solar battery
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申请号: CN201210206615.0申请日: 2012-06-21
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公开(公告)号: CN102703860A公开(公告)日: 2012-10-03
- 发明人: 门传玲 , 曹敏 , 朱德明 , 曹军 , 邓闯 , 张华
- 申请人: 上海理工大学
- 申请人地址: 上海市杨浦区军工路516号
- 专利权人: 上海理工大学
- 当前专利权人: 上海理工大学
- 当前专利权人地址: 上海市杨浦区军工路516号
- 代理机构: 上海东创专利代理事务所
- 代理商 宁芝华
- 主分类号: C23C14/06
- IPC分类号: C23C14/06 ; C23C14/30 ; C23C14/58 ; H01L31/18
摘要:
本发明涉及一种用于太阳能电池缓冲层CdS薄膜的制备方法,在真空条件下,将CdS粉末通电加热后采用升华的方式蒸发沉积到衬底上形成CdS薄膜,具体步骤为:选择玻璃、不锈钢金属箔或硅片作为衬底,将其放入50~100℃含有表面活性剂的水溶液中处理2h后,再放入丙酮中超声5~20min,用去离子水中超声10~30min,氮气吹干;将纯度为99.99%的CdS粉末放入蒸发舟或坩埚内并固定于电子束热蒸发设备上,将反应室抽真空至10-3Pa以下,样品衬底温度为20~200℃;控制电流在20~30A之间;蒸发时间为5~15min;在100~400℃温度下和氮气或氦气保护气氛下退火处理1~120min,得到CdS薄膜。本发明具有工艺简单、耗费低、且薄膜更加致密、光滑均匀等优点,拥有更佳的光电性能,适合大规模生产。
IPC分类: