本发明提供了一种SONOS结构制造方法以及SONOS结构。根据本发明的SONOS结构制造方法包括：在衬底上制备隧穿氧化层；在隧穿氧化层上制备富硅的氮化硅层，富硅的氮化硅层的Si/N比是恒定的；在富硅的氮化硅层上制备硅含量渐变的氮化硅层；以及在硅含量渐变的氮化硅层上制备阻挡氧化层；其中，硅含量渐变的氮化硅层在从所述富硅的氮化硅层到所述阻挡氧化层的方向上硅含量渐少。通过改进SONOS结构中的氮化硅层结构，形成一层富硅的氮化硅层和渐变氮化硅层；由于富硅的氮化硅层中有更多的浅陷阱能级，有利于捕获电荷，增加编译和擦除的速度。并且，这些电荷被限制在Si/N渐变的氮化硅层中富氮的氮化硅层中较深的陷阱能级能够增加电荷的保留时间，使器件的可靠性增加。