本发明公开了一种图像传感器与晶体管制作方法。图像传感器包括像素阵列，像素阵列的一个或多个像素单元包括一个源跟随晶体管。源跟随晶体管是结型场效应晶体管，包括：第一导电类型衬底；第二导电类型阱，位于第一导电类型衬底中；第二导电类型淀积掺杂层，位于第一导电类型衬底表面外并至少部分位于第二导电类型阱上；第一导电类型源区，位于第二导电类型阱中；第一导电类型漏区，位于第一导电类型衬底中和/或第二导电类型阱中；第一导电类型掺杂层，至少部分位于第二导电类型阱与第二导电类型淀积掺杂层之间，以使得第一导电类型源区与第一导电类型漏区电连接，并在其与第二导电类型阱之间以及其与第二导电类型淀积掺杂层之间分别形成PN结。