发明公开
- 专利标题: 一种制备CIS薄膜的方法
- 专利标题(英): Method for preparing CIS [CuIn (SSe) 2] films
-
申请号: CN201210135620.7申请日: 2012-05-03
-
公开(公告)号: CN102709381A公开(公告)日: 2012-10-03
- 发明人: 汪浩 , 高志华 , 刘晶冰 , 严辉
- 申请人: 北京工业大学
- 申请人地址: 北京市朝阳区平乐园100号
- 专利权人: 北京工业大学
- 当前专利权人: 北京工业大学
- 当前专利权人地址: 北京市朝阳区平乐园100号
- 代理机构: 北京思海天达知识产权代理有限公司
- 代理商 张慧
- 主分类号: H01L31/18
- IPC分类号: H01L31/18
摘要:
一种制备CIS薄膜的方法,属于薄膜太阳能电池材料的制备技术领域。首先制备油胺包覆的单分散CuInS2纳米晶,然后用吡啶置换纳米晶表面的油胺分子,并分散在氯仿或甲苯中,在镀钼玻璃上进行涂膜,采用固态硒源硒化法对CuInS2纳米晶薄膜进行硒化退火处理以制备大晶粒CuIn(SSe)2薄膜。利用本发明提供的方法可以得到大晶粒的CIS薄膜。本发明属于非真空涂覆制膜工艺,工艺简单,可大规模制备,节约了成本。
公开/授权文献
- CN102709381B 一种制备CIS薄膜的方法 公开/授权日:2014-11-26
IPC分类: