发明授权
CN102714496B 半导体装置
失效 - 权利终止
- 专利标题: 半导体装置
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申请号: CN201080062032.4申请日: 2010-12-14
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公开(公告)号: CN102714496B公开(公告)日: 2016-06-29
- 发明人: 竹村保彦 , 山崎舜平
- 申请人: 株式会社半导体能源研究所
- 申请人地址: 日本神奈川县厚木市
- 专利权人: 株式会社半导体能源研究所
- 当前专利权人: 株式会社半导体能源研究所
- 当前专利权人地址: 日本神奈川县厚木市
- 代理机构: 中国专利代理(香港)有限公司
- 代理商 叶晓勇; 李浩
- 优先权: 2010-009569 2010.01.20 JP
- 国际申请: PCT/JP2010/072839 2010.12.14
- 国际公布: WO2011/089808 EN 2011.07.28
- 进入国家日期: 2012-07-20
- 主分类号: H03K19/177
- IPC分类号: H03K19/177 ; H01L21/8234 ; H01L21/8238 ; H01L27/06 ; H01L27/092 ; H01L29/786
摘要:
本发明的一个目的在于,提供一种能够降低功率消耗的半导体装置。另一个目的在于提供使用编程单元的高度可靠的半导体装置,诸如可编程逻辑装置(PLD)。根据基本块之间的连接的配置中的变化,改变供给至基本块的电源电压。即,在基本块之间的连接结构为使得对电路无贡献的基本块时,停止对于该基本块的电源电压的供应。另外,使用编程单元控制对基本块的电源电压的供应,该编程单元利用其沟道形成区使用氧化物半导体形成的场效应晶体管形成,该场效应晶体管具有极低的断态电流或极低的泄漏电流。
公开/授权文献
- CN102714496A 半导体装置 公开/授权日:2012-10-03