• 专利标题: 一种功率半导体模块及其制造方法
  • 申请号: CN201210192843.7
    申请日: 2012-05-31
  • 公开(公告)号: CN102751246B
    公开(公告)日: 2016-08-03
  • 发明人: 宗瑞
  • 申请人: 宗瑞
  • 申请人地址: 浙江省缙云县东渡五东工业区浙江世菱电力电子有限公司内
  • 专利权人: 宗瑞
  • 当前专利权人: 浙江世菱半导体有限公司
  • 当前专利权人地址: 323000 浙江省丽水市莲都区南明山街道七百秧街129号3号厂房1楼、3楼
  • 主分类号: H01L23/10
  • IPC分类号: H01L23/10 H01L21/48 H01L21/60
一种功率半导体模块及其制造方法
摘要:
本发明涉及一种功率半导体模块及其制造方法,该模块包括底板、半导体芯片、主端子、门极端子、辅助阴极端子和绝缘外壳,绝缘外壳中灌注环氧树脂封装,其特征是:所述主端子、门极端子和辅助阴极端子均与绝缘外壳模注为一体,且该主端子、门极端子和辅助阴极端子内端分别从绝缘外壳体内伸出,并延伸至与半导体芯片直接连接。其制造方法中采用主端子、门极端子和辅助阴极端子均与半导体芯片直接烧结连接,去除导电丝线焊接、使制造过程简化,生产效率显著提高,成本降低,产品可靠性增强。
公开/授权文献
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