发明授权
- 专利标题: 用于自由基增强薄膜沉积的氧自由基产生
- 专利标题(英): Oxygen radical generation for radical-enhanced thin film deposition
-
申请号: CN201080059857.0申请日: 2010-12-29
-
公开(公告)号: CN102753726B公开(公告)日: 2015-04-29
- 发明人: E.R.迪基 , W.A.巴罗
- 申请人: 莲花应用技术有限责任公司
- 申请人地址: 美国俄勒冈州
- 专利权人: 莲花应用技术有限责任公司
- 当前专利权人: 莲花应用技术有限责任公司
- 当前专利权人地址: 美国俄勒冈州
- 代理机构: 中国专利代理(香港)有限公司
- 代理商 艾尼瓦尔; 李炳爱
- 优先权: 61/290826 2009.12.29 US
- 国际申请: PCT/US2010/062301 2010.12.29
- 国际公布: WO2011/090737 EN 2011.07.28
- 进入国家日期: 2012-06-28
- 主分类号: C23C16/44
- IPC分类号: C23C16/44 ; C23C16/50 ; C23C16/511 ; C23C16/30 ; H01L21/205
摘要:
一种自由基增强原子层沉积(REALD)的方法包括使基片交替暴露于第一前体气体(224)和从含氧第二前体气体(226)产生的自由基,如单原子氧自由基(O·),同时保持自由基和第一前体气体空间或暂时分离。当第一和第二前体气体在一般处理条件下为非反应性时,简化反应器设计(210)和过程控制是可能的,因此,可允许在自由基重组或另外消除后混合。在一些实施方案中,第二前体气体(226)为含氧化合物,如二氧化碳(CO2)或氧化亚氮(N2O)或这些含氧化合物的混合物,且不包含显著量正常氧(O2)。
公开/授权文献
- CN102753726A 用于自由基增强薄膜沉积的氧自由基产生 公开/授权日:2012-10-24
IPC分类: