- 专利标题: H型阵列离子阱及在其中进行离子-离子反应的方法
- 专利标题(英): H-type array ion trap and method for carrying out ion-ion reaction in trap
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申请号: CN201210250694.5申请日: 2012-07-19
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公开(公告)号: CN102760635B公开(公告)日: 2015-01-07
- 发明人: 唐飞 , 陈一 , 王晓浩
- 申请人: 清华大学
- 申请人地址: 北京市海淀区清华园1号
- 专利权人: 清华大学
- 当前专利权人: 清华大学
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区清华园1号
- 代理机构: 北京康盛知识产权代理有限公司
- 代理商 张良
- 主分类号: H01J49/26
- IPC分类号: H01J49/26
摘要:
本发明提供了一种H型阵列离子阱的设计,包括左离子阱、右离子阱和中心离子阱,所述左离子阱、所述右离子阱和所述中心离子阱分别由X平行电极对、Y平行电极对和Z平行电极对构成矩形离子阱;所述左离子阱、右离子阱和中心离子阱构成H型阵列;所述左离子阱和右离子阱平行设置,所述左离子阱的X平行电极对和所述右离子阱的X平行电极对相对;所述中心离子阱设置在所述左离子阱和右离子阱之间,所述中心离子阱的Z平行电极对分别和所述左离子阱的X平行电极对和所述右离子阱的X平行电极对相对。本发明提供了一种在H型阵列离子阱中进行离子-离子反应的方法。通过本发明能有效的减少离子在传输过程中的损耗,保证离子在离子阱间传输时的可靠性。
公开/授权文献
- CN102760635A H型阵列离子阱及在其中进行离子-离子反应的方法 公开/授权日:2012-10-31