- 专利标题： 一种短沟道围栅结构MOSFET的阈值电压解析模型
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申请号： CN201210204444.8申请日： 2012-06-20
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公开(公告)号： CN102779205B公开(公告)日： 2014-10-15
- 发明人: 顾经纶 , 颜丙勇
- 申请人： 上海华力微电子有限公司
- 申请人地址： 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号
- 专利权人： 上海华力微电子有限公司
- 当前专利权人： 上海华力微电子有限公司
- 当前专利权人地址： 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号
- 代理机构： 上海新天专利代理有限公司
- 代理商 王敏杰
- 主分类号： G06F17/50
- IPC分类号： G06F17/50
摘要：
本发明提供一种计算短沟道围栅结构MOSFET阈值电压的解析模型。在全耗尽以及弱反型的假设下求解二维泊松方程，在一定边界条件的制约下得到沟道电势的分布模型。通过高斯盒子的方法得到栅氧化层的电压降，然后根据本发明定义阈值电压的方法以及本发明求出的沟道电势分布模型推导得到短沟道围栅器件阈值电压解析模型。本发明的阈值电压解析模型形式简洁、物理概念清晰，且计算精度高，为电路级仿真软件提供了新型围栅器件的阈值电压解析模型。
公开/授权文献
- CN102779205A 一种短沟道围栅结构MOSFET的阈值电压解析模型 公开/授权日：2012-11-14
