Invention Grant
- Patent Title: 降低铜电镀工艺中边缘效应的方法及铜互连结构制造方法
- Patent Title (English): Method for reducing fringe effect in copper plating process and manufacturing method of copper interconnection structure
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Application No.: CN201110126350.9Application Date: 2011-05-16
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Publication No.: CN102790009BPublication Date: 2015-04-29
- Inventor: 鲍宇 , 平延磊
- Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- Applicant Address: 上海市浦东新区张江路18号
- Assignee: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- Current Assignee: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- Current Assignee Address: 上海市浦东新区张江路18号
- Agency: 北京集佳知识产权代理有限公司
- Agent 骆苏华
- Main IPC: H01L21/768
- IPC: H01L21/768

Abstract:
一种降低铜电镀工艺中边缘效应的方法及其对应的铜互连结构制造方法。其中,降低铜电镀工艺中边缘效应的方法包括:在基底表面形成第一金属籽晶层;对所述第一金属籽晶层进行退火处理;在所述第一金属籽晶层表面形成第二金属籽晶层;在所述第二金属籽晶层表面形成铜金属层。本发明在阻挡层表面形成两层金属籽晶层,并对所述第一金属籽晶层进行退火处理,经过退火处理后所述第一金属籽晶层的金属晶粒会凝集成团,晶界数目变少,第一金属籽晶层的电阻减小,从而使得第一金属籽晶层和第二金属籽晶层的总电阻也减小,降低了铜电镀工艺中的边缘效应。
Public/Granted literature
- CN102790009A 降低铜电镀工艺中边缘效应的方法及铜互连结构制造方法 Public/Granted day:2012-11-21
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IPC分类: