发明授权
CN102795662B 一种制备有序介孔氧化铟锡材料的方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 一种制备有序介孔氧化铟锡材料的方法
- 专利标题(英): Method for preparing ordered mesoporous indium tin oxide material
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申请号: CN201210312976.3申请日: 2012-08-29
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公开(公告)号: CN102795662B公开(公告)日: 2014-02-05
- 发明人: 孙晓红 , 季惠明 , 李晓雷
- 申请人: 天津大学
- 申请人地址: 天津市南开区卫津路92号天津大学
- 专利权人: 天津大学
- 当前专利权人: 天津大学
- 当前专利权人地址: 天津市南开区卫津路92号天津大学
- 代理机构: 天津市北洋有限责任专利代理事务所
- 代理商 王丽
- 主分类号: C01G19/02
- IPC分类号: C01G19/02 ; C01G15/00 ; B82Y30/00
摘要:
本发明涉及一种制备有序介孔氧化铟锡材料的方法,以有序介孔氧化硅作为硬模板,将其加入到铟前躯体水溶液或铟前躯体乙醇的溶液中搅拌浸渍,铟前躯体固体质量与氧化硅质量比为2-5:1;使铟前躯体浸入到氧化硅介孔孔道中,然后挥干溶剂,并在空气气氛下300-600℃煅烧,然后采用氢氧化钠溶液搅拌后离心过滤以除去氧化硅模板,得到有序介孔氧化铟材料;将制备的有序介孔氧化铟材料与锡前躯体的溶液混合搅拌浸渍,经室温挥发除去溶剂,并在气氛下煅烧,使锡元素均匀掺杂到有序介孔氧化铟晶格中,从而制得有序介孔氧化铟锡材料。本发明所制备有序介孔氧化铟锡材料为纯的氧化铟锡,无杂质存在。具有良好的有序介孔结构。
公开/授权文献
- CN102795662A 一种制备有序介孔氧化铟锡材料的方法 公开/授权日:2012-11-28
IPC分类: