发明授权
- 专利标题： 带有靠近写入极的传感器的换能器设计
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申请号： CN201080031207.5申请日： 2010-05-28
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公开(公告)号： CN102804265B公开(公告)日： 2016-10-12
- 发明人: 陈永华 , 高凯中
- 申请人： 希捷科技有限公司
- 申请人地址： 美国加利福尼亚州
- 专利权人： 希捷科技有限公司
- 当前专利权人： 希捷科技有限公司
- 当前专利权人地址： 美国加利福尼亚州
- 代理机构： 上海专利商标事务所有限公司
- 代理商 李小芳
- 优先权： 12/473,829 2009.05.28 US
- 国际申请： PCT/US2010/036561 2010.05.28
- 国际公布： WO2011/011113 EN 2011.01.27
- 进入国家日期： 2012-01-06
- 主分类号： G11B5/012
- IPC分类号： G11B5/012 ; G11B5/02 ; G11B5/31 ; G11B5/596 ; G11B20/10 ; G11B27/30
摘要：
一种磁设备包括读取传感器、写入器以及同步传感器。该磁设备被配置成向包括多个分离的磁比特的磁介质写入信息以及从该磁介质读取信息。写入器包括写入元件、磁耦合至写入元件的第一返回元件、以及磁耦合至写入元件的第二返回元件。写入元件位于第一和第二返回元件之间。同步传感器定位成在紧密间隔安排中毗邻写入器的写入元件，且被配置成根据所感测的磁比特生成信号。该信号被用于相对于所感测的磁比特定位写入元件。
公开/授权文献
- CN102804265A 带有靠近写入极的传感器的换能器设计 公开/授权日：2012-11-28
IPC分类:
