发明授权
- 专利标题： 压电薄膜器件和压电薄膜装置
- 专利标题（英）： Piezoelectric thin-film element and piezoelectric thin-film device
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申请号： CN201180013990.7申请日： 2011-03-24
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公开(公告)号： CN102804436B公开(公告)日： 2015-01-14
- 发明人: 柴田宪治 , 末永和史 , 渡边和俊 , 野本明 , 堀切文正
- 申请人： 日立金属株式会社
- 申请人地址： 日本东京都
- 专利权人： 日立金属株式会社
- 当前专利权人： 住友化学株式会社
- 当前专利权人地址： 日本东京都
- 代理机构： 北京林达刘知识产权代理事务所
- 代理商 刘新宇; 李茂家
- 优先权： 2010-070361 2010.03.25 JP
- 国际申请： PCT/JP2011/057117 2011.03.24
- 国际公布： WO2011/118686 JA 2011.09.29
- 进入国家日期： 2012-09-14
- 主分类号： H01L41/18
- IPC分类号： H01L41/18 ; C04B35/00 ; C23C14/08 ; H01L41/08 ; H01L41/09 ; H01L41/22 ; H01L41/39
摘要：
本发明提供压电薄膜器件，其具有基板(1)和设置于所述基板(1)上的用组成式(K1-xNax)yNbO3表示的碱性铌氧化物系钙钛矿结构的压电薄膜(3)，所述压电薄膜(3)的碳浓度为2×1019/cm3以下，或者所述压电薄膜(3)的氢浓度为4×1019/cm3以下。
公开/授权文献
- CN102804436A 压电薄膜器件和压电薄膜装置 公开/授权日：2012-11-28
IPC分类:
