一种半导体技术领域的阱区的形成方法和半导体基底，一种所述方法包括：在半导体衬底上形成隔离区，以隔离有源区；选定至少一个所述有源区，在选定的所述有源区内形成第一阱区；以掩模覆盖选定的所述有源区，刻蚀剩余的所述有源区，以形成凹槽；外延生长半导体材料，以填充所述凹槽。另一种所述方法包括：在半导体衬底内形成隔离区，以隔离有源区；在所述有源区内形成阱区；刻蚀所述有源区，以形成凹槽，所述凹槽的深度小于或等于所述阱区的深度；外延生长半导体材料，以填充所述凹槽。所述半导体基底，包括：材料不同的半导体衬底和修正半导体区。本发明去除了穿过隔离结构进行横向扩散的掺杂离子，保证了半导体器件的阈值电压稳定。