发明授权
CN102820284B 半导体器件和半导体器件的制造方法
失效 - 权利终止
- 专利标题： 半导体器件和半导体器件的制造方法
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申请号： CN201210177169.5申请日： 2012-05-31
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公开(公告)号： CN102820284B公开(公告)日： 2017-07-14
- 发明人: 胁山悟 , 南正树
- 申请人： 索尼公司
- 申请人地址： 日本东京
- 专利权人： 索尼公司
- 当前专利权人： 索尼公司
- 当前专利权人地址： 日本东京
- 代理机构： 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司
- 代理商 褚海英; 武玉琴
- 优先权： 2011-129192 20110609 JP
- 主分类号： H01L23/544
- IPC分类号： H01L23/544
摘要：
本发明提供了一种半导体器件和半导体器件的制造方法，所述半导体器件包括：半导体元件、形成在所述半导体元件上的连接电极以及形成在所述半导体元件上的对准标记。至少一个所述对准标记是由磁性材料制成的。本发明提高了设置有半导体器件时的定位精确度，并且改善了半导体器件的电极连接的可靠性。
公开/授权文献
- CN102820284A 半导体器件和半导体器件的制造方法 公开/授权日：2012-12-12
IPC分类:
