发明授权
- 专利标题： III-V族半导体结构及其形成方法
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申请号： CN201180015070.9申请日： 2011-03-23
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公开(公告)号： CN102822944B公开(公告)日： 2016-01-06
- 发明人: 埃德·林多 , 尚塔尔·艾尔纳 , R·贝尔特拉姆 , 兰詹·达塔 , 苏巴实·马哈詹
- 申请人： 索泰克公司 , 亚利桑那董事会代表亚利桑那大学
- 申请人地址： 法国伯尔宁
- 专利权人： 索泰克公司,亚利桑那董事会代表亚利桑那大学
- 当前专利权人： 索泰克公司,亚利桑那董事会代表亚利桑那大学
- 当前专利权人地址： 法国伯尔宁
- 代理机构： 北京三友知识产权代理有限公司
- 代理商 吕俊刚; 张旭东
- 优先权： 61/318,693 2010.03.29 US
- 国际申请： PCT/US2011/029589 2011.03.23
- 国际公布： WO2011/123303 EN 2011.10.06
- 进入国家日期： 2012-09-21
- 主分类号： H01L21/203
- IPC分类号： H01L21/203 ; H01L21/205 ; H01L21/02
摘要：
本发明的实施例涉及制造半导体结构的方法，并且涉及通过这类方法构成的半导体结构。在一些实施例中，这些方法可用于制造诸如InGaN的III-V族材料的半导体结构。通过使用多组不同的生长条件生长多个子层来制造半导体层，以提高所得层的均一性，提高所得层的表面粗糙度，和/或使所述层能够生长达到经增大的厚度，而应力弛豫并没有开始。
公开/授权文献
- CN102822944A III-V族半导体结构及其形成方法 公开/授权日：2012-12-12
IPC分类:
