- 专利标题： 高密度等离子体化学气相淀积设备的腔体检漏方法
- 专利标题（英）： Leak check method of cavity of high-density plasma chemical vapor deposition device
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申请号： CN201110159172.X申请日： 2011-06-14
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公开(公告)号： CN102828165B公开(公告)日： 2015-02-04
- 发明人: 杨继业 , 孙玲玲 , 王炜
- 申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
- 申请人地址： 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
- 专利权人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
- 当前专利权人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
- 当前专利权人地址： 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
- 代理机构： 上海浦一知识产权代理有限公司
- 代理商 丁纪铁
- 主分类号： C23C16/44
- IPC分类号： C23C16/44 ; G01M3/32
摘要：
本发明公开了一种高密度等离子体化学气相淀积设备的腔体检漏方法，在生产工艺步骤中增加腔体检漏工艺，腔体检漏工艺自动执行并实时报警；当腔体检漏工艺得到的测量结果超标时，高密度等离子体化学气相淀积设备发出警报并使生产工艺步骤停止执行；当腔体检漏工艺得到的测量结果正常时，生产工艺步骤继续执行。本发明能降低检漏的时间、提高设备的产能，能够使检漏的实施达到可控并能通过自动的规格管理来有效避免产品事故的发生，使产品的质量得到保证。
公开/授权文献
- CN102828165A 高密度等离子体化学气相淀积设备的腔体检漏方法 公开/授权日：2012-12-19
IPC分类:
