发明授权
- 专利标题： 低泄漏GaNMOSFET
- 专利标题（英）： Low leakage gan mosfet
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申请号： CN201180016639.3申请日： 2011-01-12
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公开(公告)号： CN102834920B公开(公告)日： 2015-06-10
- 发明人: J·拉达尼
- 申请人： 美国国家半导体公司
- 申请人地址： 美国加利福尼亚州
- 专利权人： 美国国家半导体公司
- 当前专利权人： 美国国家半导体公司
- 当前专利权人地址： 美国加利福尼亚州
- 代理机构： 北京纪凯知识产权代理有限公司
- 代理商 赵蓉民
- 优先权： 12/697,235 2010.01.30 US
- 国际申请： PCT/US2011/020916 2011.01.12
- 国际公布： WO2011/094059 EN 2011.08.04
- 进入国家日期： 2012-09-28
- 主分类号： H01L29/78
- IPC分类号： H01L29/78
摘要：
通过在AlGaN（或InAlGaN）势垒层（118）上利用SiO2/Si3N4栅绝缘层（124）来形成增强模式GaN MOSFET（100）。SiO2/Si3N4栅绝缘层（124）的Si3N4部分（120）减少了栅绝缘层（124）和势垒层（118）之间的结处的界面态的形成，同时SiO2/Si3N4栅绝缘层（124）的SiO2部分（122）减少了泄漏电流。
公开/授权文献
- CN102834920A 低泄漏GaNMOSFET 公开/授权日：2012-12-19
IPC分类:
