本发明提供了一种高压快速恢复二极管的制造方法，该方法包括在均匀掺杂的N型单晶硅片正面通过场氧化和离子注入同时实施阳极区和终端场限环的P型杂质掺杂；氧化膜保护住阳极区和终端场限环区域后，采用扩散法对硅片正面的沟道截止环和硅片背面阴极区同时实施N型杂质掺杂；然后在高温扩散炉中对P型杂质和N型杂质同时实施热扩散推进；完成正面金属化、电子辐照少子寿命控制、去除背面损伤层后，实施背面金属化。本发明加工步骤简洁，硅片背面的深N型掺杂层有利于改善二极管的反向恢复特性和提高阻断电压。