发明授权
CN102842640B 一种制作硅晶磊晶层的方法及相关的晶硅基板结构
失效 - 权利终止
- 专利标题： 一种制作硅晶磊晶层的方法及相关的晶硅基板结构
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申请号： CN201110168792.X申请日： 2011-06-21
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公开(公告)号： CN102842640B公开(公告)日： 2016-12-21
- 发明人: 张嘉甫 , 陈文泰
- 申请人： 致嘉科技股份有限公司
- 申请人地址： 中国台湾新竹市牛埔东路386号
- 专利权人： 致嘉科技股份有限公司
- 当前专利权人： 致嘉科技股份有限公司
- 当前专利权人地址： 中国台湾新竹市牛埔东路386号
- 代理机构： 广州三环专利代理有限公司
- 代理商 郑裕涵
- 主分类号： H01L31/18
- IPC分类号： H01L31/18 ; H01L31/068 ; H01L31/0224
摘要：
一种制作硅晶磊晶层的方法，利用一种已知的网板印刷技术，将一种金属浆料均匀的涂布在晶硅基板的至少一个全表面上，并以一种传送速度通过高温隧道窑，使得浆料与结晶硅以一种液相磊晶的过程，在晶硅基板上长出一层硅晶磊晶层；调节金属浆料配方中的掺杂元素的组成份，可以控制此硅晶层的导电极性为P型或N型半导体；利用此方法，本发明揭露一种具有掺杂磊晶层的晶硅基板。
公开/授权文献
- CN102842640A 一种制作硅晶磊晶层的方法及相关的晶硅基板结构 公开/授权日：2012-12-26
IPC分类:
