- 专利标题: 控制晶相合成带隙可调的单分散Cu2ZnSn(S1-xSex)4纳米晶的方法
- 专利标题(英): Method for synthesis of band gap-adjustable monodispersed Cu2ZnSn(S1-xSex)4 nano-crystals by crystal phase control
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申请号: CN201210294934.1申请日: 2012-08-16
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公开(公告)号: CN102849685B公开(公告)日: 2014-07-30
- 发明人: 季书林 , 叶长辉 , 邱晓东
- 申请人: 中国科学院合肥物质科学研究院
- 申请人地址: 安徽省合肥市蜀山区蜀山湖路350号
- 专利权人: 中国科学院合肥物质科学研究院
- 当前专利权人: 中国科学院合肥物质科学研究院
- 当前专利权人地址: 安徽省合肥市蜀山区蜀山湖路350号
- 代理机构: 北京凯特来知识产权代理有限公司
- 代理商 郑立明; 赵镇勇
- 主分类号: H01L31/0264
- IPC分类号: H01L31/0264 ; H01L31/0256 ; C01B19/00 ; B82Y30/00
摘要:
本发明公开了一种控制晶相合成带隙可调的单分散Cu2ZnSn(S1-xSex)4纳米晶的方法,首先将按计量配比的金属氯化物盐类和单质硫与硒混合于三颈烧瓶内,倒入醇类溶剂和少量油胺;然后将三颈烧瓶放于磁力搅拌电热套内搅拌、加热,同时通氮气或氩气作为保护气,经络合、反应,冷却后加乙醇离心分离沉淀;之后用清洗剂清洗晶粒表面的油胺,真空干燥得到单分散的不含第二相的Cu2ZnSn(S1-xSex)4纳米晶。操作简单、成本低、环保无污染、可用于大规模生产。
公开/授权文献
- CN102849685A 控制晶相合成带隙可调的单分散Cu2ZnSn(S1-xSex)4纳米晶的方法 公开/授权日:2013-01-02
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