本发明公开了一种低温共烧制备银电极的PZT基压电陶瓷厚膜材料的方法，压电浆料以PZT基体系配方为基础，按Pb（Zr0.52Ti0.48）O3、Pb0.99Sb0.01（Zr0.52Ti0.48）O3或者0.25Pb(Zn1/3Nb2/3)-0.75Pb0.95La0.05(Zr0.53Ti0.47)0.9875O3的化学计量比称取原料，以市售银浆为电极材料，采用丝网印刷技术进行电极和压电厚膜层的制备，采用825～850°C低温共烧技术进行烧结，通过合成工艺、排胶工艺和极化制度的调整和改进来制备在同等厚度下具有较高d33值和较低介电损耗的压电厚膜材料。本发明的成分及工艺步骤简单、易于操作、重复性好、成品率高。本发明主要应用于微型压电换能器和微位移器等。