Invention Grant
CN102866582B 一种用于高亮度LED图形化的纳米压印装置和方法
失效 - 权利终止
- Patent Title: 一种用于高亮度LED图形化的纳米压印装置和方法
- Patent Title (English): Nanometer impression device and nanometer impression method for high-brightness light-emitting diode (LED) graphics
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Application No.: CN201210376654.5Application Date: 2012-09-29
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Publication No.: CN102866582BPublication Date: 2014-09-10
- Inventor: 兰红波
- Applicant: 兰红波
- Applicant Address: 山东省青岛市安达路16号1号楼2单元101
- Assignee: 兰红波
- Current Assignee: 兰红波
- Current Assignee Address: 山东省青岛市安达路16号1号楼2单元101
- Agency: 济南圣达知识产权代理有限公司
- Agent 张勇
- Main IPC: G03F7/00
- IPC: G03F7/00 ; B82Y10/00
Abstract:
本发明公开了一种用于高亮度LED图形化的纳米压印装置和方法。它包括:承片台、真空吸盘、衬底、紫外光固化型纳米压印抗蚀剂等,模具为薄膜状弹性复合软模具,它包括图形层和支撑层,图形层具有水溶性、薄膜结构、弹性和高透明的特性,模具的制造采用滚压印工艺。基于该装置实现LED图形化的方法:(1)预处理过程;(2)压印过程;(3)固化过程;(4)脱模过程;(5)后处理过程;(6)压印图形的转移。本发明实现了在非平整表面或曲面衬底或者易碎衬底上高效、低成本制造大面积、高深宽比微纳米结构,适合光学器件、三维微型电池、MEMS器件、光伏器件、抗反射层、自清洁表面等的规模化制造,尤其适合LED图形化和晶圆级无拼接微光学器件工业级规模化生产。
Public/Granted literature
- CN102866582A 一种用于高亮度LED图形化的纳米压印装置和方法 Public/Granted day:2013-01-09
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