- 专利标题: 一种无损、无污染的纳米碳质薄膜的图形化方法
- 专利标题(英): Non-destructive and pollution-free graphical method for nano-carbon film
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申请号: CN201110187013.0申请日: 2011-07-05
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公开(公告)号: CN102867740A公开(公告)日: 2013-01-09
- 发明人: 杜金红 , 苏阳 , 马来鹏 , 裴嵩峰 , 刘文彬 , 刘畅 , 成会明
- 申请人: 中国科学院金属研究所
- 申请人地址: 辽宁省沈阳市沈河区文化路72号
- 专利权人: 中国科学院金属研究所
- 当前专利权人: 中国科学院金属研究所
- 当前专利权人地址: 辽宁省沈阳市沈河区文化路72号
- 代理机构: 沈阳科苑专利商标代理有限公司
- 代理商 许宗富
- 主分类号: H01L21/28
- IPC分类号: H01L21/28 ; G03F7/00
摘要:
本发明涉及一种无损、无污染的纳米碳质薄膜的图形化方法,属于电子器件制备领域。该方法预先在基体材料上制备单、双层金属或金属担载陶瓷薄膜的图形,然后在该预图形化的基体上沉积纳米碳质薄膜,最后利用湿法刻蚀去除预制的单层金属图形直接剥离附着在其表面的纳米碳质薄膜,或通过底层金属的刻蚀在剥离其担载的金属或陶瓷薄膜的同时去除附着于预制图形表面的纳米碳质材料,保留与基体直接接触的薄膜形成相应的图形,从而实现了纳米碳质薄膜的图形化。由于工艺中碳质薄膜与光刻胶及等离子体无直接接触,从而避免了对所制备图形的污染和损伤。图形化的碳质薄膜可用于显示器透明电极、薄膜场效应晶体管等。
公开/授权文献
- CN102867740B 一种无损、无污染的纳米碳质薄膜的图形化方法 公开/授权日:2015-08-12
IPC分类: