发明授权
- 专利标题: 用于场致发光装置的反射阳极结构
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申请号: CN201080058761.2申请日: 2010-11-29
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公开(公告)号: CN102870190B公开(公告)日: 2016-02-03
- 发明人: Q·胡
- 申请人: 光实验室瑞典股份公司
- 申请人地址: 瑞典斯德哥尔摩
- 专利权人: 光实验室瑞典股份公司
- 当前专利权人: 皮尔菲兹科技股份公司
- 当前专利权人地址: 瑞典乌普萨拉
- 代理机构: 北京派特恩知识产权代理有限公司
- 代理商 武晨燕; 张颖玲
- 优先权: 09180339.5 2009.12.22 EP
- 国际申请: PCT/EP2010/068420 2010.11.29
- 国际公布: WO2011/076523 EN 2011.06.30
- 进入国家日期: 2012-06-21
- 主分类号: H01J63/02
- IPC分类号: H01J63/02
摘要:
本发明涉及一种场致发光装置(100),包括:第一场致发射阴极(106);包括荧光层(108)的阳极结构(102);以及真空外罩,所述阳极结构(102)和所述第一场致发射阴极均设置在该真空外罩内;其中,所述阳极结构(102)被设置为当在所述阳极结构和所述第一场致发射阴极之间施加电压时接收由所述第一场致发射阴极(106)发射的电子,并且被设置为将由所述荧光层(108)产生的光从所述真空腔反射出去。本发明的优点包括功率损耗降低和以及所述场致发光装置的光输出增大。
公开/授权文献
- CN102870190A 用于场致发光装置的反射阳极结构 公开/授权日:2013-01-09