发明授权
CN102877049B 共掺杂透明导电薄膜的制备方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 共掺杂透明导电薄膜的制备方法
- 专利标题(英): Preparation method of co-doped transparent conductive thin film
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申请号: CN201210393515.3申请日: 2012-10-17
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公开(公告)号: CN102877049B公开(公告)日: 2014-08-06
- 发明人: 马洪芳 , 马芳 , 刘志宝 , 刘文斐
- 申请人: 山东建筑大学
- 申请人地址: 山东省济南市临港开发区凤鸣路山东建筑大学
- 专利权人: 山东建筑大学
- 当前专利权人: 山东建筑大学
- 当前专利权人地址: 山东省济南市临港开发区凤鸣路山东建筑大学
- 代理机构: 济南舜源专利事务所有限公司
- 代理商 侯绪军
- 主分类号: C23C20/08
- IPC分类号: C23C20/08
摘要:
本发明涉及一种透明导电薄膜的制备方法,特别涉及一种共掺杂透明导电薄膜的制备方法。其目的在于提供一种新的掺杂方式,以获得具有优良光电性能的透明导电薄膜,使其得到更好利用。本发明的目的是采用下述技术方案实现的:一种共掺杂透明导电薄膜的制备方法,它包括以下步骤:A)前处理;B)溶胶配制:配制浓度为0.25-2.5mol/L的溶胶;C)旋涂镀膜:将前处理后的载玻片放置于匀胶机的载物台上,把陈化好的溶胶滴加在玻璃衬底上,旋转,烘干;D)热处理。本发明的有益效果是:采用溶胶-凝胶法制备ZnO基薄膜,利用Al3+和Ga3+的共掺杂,获得一种新的具有优良光电性能的透明导电薄膜。
公开/授权文献
- CN102877049A 共掺杂透明导电薄膜的制备方法 公开/授权日:2013-01-16
IPC分类: