Invention Grant
- Patent Title: EML激光器的电吸收反向偏置电压调优方法
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Application No.: CN201210380205.8Application Date: 2012-10-09
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Publication No.: CN102882115BPublication Date: 2014-10-22
- Inventor: 孙朝元 , 易志林 , 杨振宇
- Applicant: 索尔思光电(成都)有限公司
- Applicant Address: 四川省成都市高新区西区科新路8号成都出口加工区西区2号5号标准厂房
- Assignee: 索尔思光电(成都)有限公司
- Current Assignee: 索尔思光电(成都)有限公司
- Current Assignee Address: 四川省成都市高新区西区科新路8号成都出口加工区西区2号5号标准厂房
- Agency: 四川力久律师事务所
- Agent 林辉轮; 王芸
- Main IPC: H01S3/10
- IPC: H01S3/10 ; H04B10/50
Abstract:
本发明公开了一种EML激光器的电吸收反向偏置电压调优方法,该电吸收反向偏置电压调优方法,首先设置电吸收反向偏置电压最小初始值,再在EML激光器工作波长满足要求的前提下,调整光眼图交叉点、消光比、温度、自动光功率控制的取值,使得EML激光器的光眼图交叉点、消光比、输出光功率、工作波长满足使用要求;再检测电吸收反向偏置电压VEA是否达到设定的电吸收反向偏置电压范围的最大值:如果没有则逐渐增加VEA值,直至偏置电流、输出光功率、消光比、光眼图交叉点和光眼图富裕量均满足设定的要求范围,此时的VEA值即为最优VEA值。本发明保证了EML激光器取得长距离传输时最小色散,且提高了EML激光器的生产良率。
Public/Granted literature
- CN102882115A EML激光器的电吸收反向偏置电压调优算法 Public/Granted day:2013-01-16
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