发明授权
- 专利标题： 场致发射阴极
- 专利标题（英）： Field emission cathode
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申请号： CN201180017218.2申请日： 2011-04-04
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公开(公告)号： CN102884605B公开(公告)日： 2015-07-15
- 发明人: 胡秋红
- 申请人： 光实验室瑞典股份公司
- 申请人地址： 瑞典斯德哥尔摩
- 专利权人： 光实验室瑞典股份公司
- 当前专利权人： 普尔菲兹技术公司
- 当前专利权人地址： 瑞典乌普萨拉
- 代理机构： 北京品源专利代理有限公司
- 代理商 杨生平; 钟锦舜
- 优先权： 10159139.4 2010.04.06 EP
- 国际申请： PCT/EP2011/055213 2011.04.04
- 国际公布： WO2011/124555 EN 2011.10.13
- 进入国家日期： 2012-09-28
- 主分类号： H01J1/304
- IPC分类号： H01J1/304 ; H01J31/12 ; H01J63/02 ; H01J63/06
摘要：
本发明涉及一种场致发射阴极，所述场致发射阴极包括：至少部分导电的基底结构；和空间分布在所述基底结构处的多个导电的微米级部分，其中，所述多个微米级部分中的至少一部分各自设置有多个导电的纳米结构。本发明的优点包括降低功耗以及增加例如包括所述场致发射阴极的场致发射照明装置的光输出。
公开/授权文献
- CN102884605A 场致发射阴极 公开/授权日：2013-01-16
